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FDB8443 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | Fairchild Semiconductor | 168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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FDB8443参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB 包装数量:800 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):40V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 80A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):185nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9310pF @ 25V 功率 - 最大值:188W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 板至板 - 接头,SL-108-TT-12 Card EdgeEBC19DRYI-S93 PMIC - 稳压REG71050DDCRG4 PMIC - 电压LM4050CEX3-4.1 T 接线座 - 接头,20020621-M021A01LF 接口 - 驱动器,ISL31495EIBZ 数据采集 - 数模AD7834BRZ-REEL 时钟/计时 - 时SY10E111AJCTR Card EdgeRBC26DRTN Linear - LMV324IPWRE4 |